Излучатели полупроводниковые. Основные параметры
|
| Статус: |
действующий
|
| Английское название: |
Semiconductor photoemitters. Main parameters |
| Область приложения: |
Настоящий стандарт распространяется на вновь разрабатываемые полупроводниковые оптоэлектронные излучатели: инфракрасные излучающие диоды и светоизлучающие диоды и устанавливает ряды и допускаемые сочетания значений основных параметров |
| Дата введения: |
01.01.1982 |
| Дата публикации: |
01.04.1988 |
| Последнее измененение: |
12.09.2008 |
| Изменения: |
|
Изменение №1 к ГОСТ 24352-80
